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共同通信PRワイヤー2026.10.23

脱炭素を支えるSiCパワー半導体の利用拡大を規格が後押し

国立研究開発法人産業技術総合研究所 が配信したプレスリリースです。 本文は配信元のページでご覧ください。

ポイント ・ SiCウェハ欠陥の国際的に統一された品質評価基準がなく、品質ばらつきや信頼性確保が課題 ・ 従来試験技術で検出困難な欠陥に対応したX線トポグラフ法の国際標準化 ・ SiCパワー半導体の高...

共同通信PRワイヤー の配信ページより抜粋

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